Micron, AI 메모리에 향후 10년간 100억 달러 R&D 랩 투자
Micron이 미국 아이다호주 보이시에 100억 달러 규모의 Micron Research Labs를 구축한다고 발표했습니다. 향후 10년에 걸쳐 차세대 메모리 기술과 compute system을 연구하고, 미래 반도체 제조 기술로 연결하는 장기 R&D 거점입니다.
이게 중요한 이유는 AI 메모리 경쟁이 이제 단순한 **“HBM4를 누가 먼저 양산하느냐”**에서 더 긴 시간축으로 넘어가고 있기 때문입니다. AI accelerator의 성능은 이미 compute FLOPS보다 memory bandwidth·capacity·power가 강하게 제약하고 있고, HBM은 DRAM die 적층뿐 아니라 TSV, bonding, base die, PHY, thermal management, package co-design까지 하나의 시스템 문제입니다.
특히 Micron이 “memory”가 아니라 next-generation compute systems까지 연구 대상으로 명시한 점을 볼 만합니다. 향후 HBM 이후 경쟁이 메모리 소자 단독보다 logic-memory co-design / near-memory compute / advanced packaging 쪽으로 확장된다는 신호로 해석할 수 있습니다.
회로설계 쪽이라면 HBM PHY → high-speed I/O → power/signal integrity → advanced packaging 축이 상당히 유망합니다. 소자공정보다 회로·시스템을 선호하면서도 반도체 산업 중심에 있고 싶을 때 특히 잘 맞는 영역입니다.